Yarim o'tkazgichlar uchun tarmoqli bo'shlig'i juda kichik bo'lgani uchun, kichik miqdordagi aralashmalar bilan qo'llash materialning o'tkazuvchanligini keskin oshirishi mumkin. Shunday qilib, doping olimlarga yarimo'tkazgichning o'tkazuvchanligini modulyatsiya qilish uchun "dopantlar" deb ataladigan elementlar to'plamining xususiyatlaridan foydalanishga imkon beradi.
Doping qanday qilib yarimo'tkazgichning o'tkazuvchanligini oshiradi?
toza yarimo'tkazgich yoki o'ziga xos yarimo'tkazgichganopoklik atomlarini qo'shish jarayoni "doping" deb ataladi. … Erkin elektronlar soni nopok qo'shilishi bilan ko'payganligi sababli, u yanada o'tkazuvchanlikka yordam beradi. Bunday jarayon orqali doping yarimo'tkazgichlarning o'tkazuvchanligini oshiradi.
Dopingdan maqsad nima?
Doping - bu yarim o'tkazgichlardagi elektronlar va teshiklar sonini o'zgartirish uchun ishlatiladigan usul. IV guruhdagi yarimo'tkazgichlar V guruh atomlari bilan dopinglanganda doping N tipidagi materialni hosil qiladi. P-tipli materiallar IV guruhdagi yarimo‘tkazgichlar III guruh atomlari bilan qo‘shilganda hosil bo‘ladi.
Yarimo'tkazgichni doping qilishning afzalligi nimada?
Ularning funktsiyasi uchun hal qiluvchi ahamiyatga ega boʻlgan doping deb ataladigan jarayon boʻlib, u yarimoʻtkazgichning elektr oʻtkazuvchanligini oshirish uchun uning ichiga aralashmalarni toʻqishni oʻz ichiga oladi. Aynan shu narsa quyosh batareyalari va LED ekranlardagi turli komponentlarning ishlashiga imkon beradi.
Yuqori doping ta'siri qanday?
Judayuqori doping darajalari past energiyali oʻtkazuvchanlik diapazonidagi elektronlar bilan bogʻliq toʻlqin paketi bir nechta nopoklik atomlari bilan bir-biriga yopishishi mumkin, bu esa potentsial energiyaning kamayishi natijasida ruxsat etilgan holatlarning pastligiga olib keladi.
